Cito textualmente:
Para valores suficientemente altos de la tensión de drenador, la región de empobrecimiento de drenador puede llegar a alcanzar la de fuente, produciéndose elfenómeno de “perforación” (punchthrough); la tensión de puerta pierde su control sobre la corriente, que aumenta de forma abrupta, pudiendo producir un daño irreversible en el transistor como consecuencia de fusiones localizadas del material en lugares de alta densidad de corriente.
Fuente:
http://www.teleco.upct.es/docencia/materia...ugh%20mosfet%22
SUERTE MAÑANA! :goku: :cachas: