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Old 24-sep-2006, 15:03   #1 (permalink)
Ironfisher
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¿¿¿Alguien sabe en que consiste el fenómeno conocido como punch-through en un MOSFET???? y ¿Como puede evitarse?

A ver si alguien puede responderme antes de mañana lunes 25 que tengo el exámen....
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Old 24-sep-2006, 15:10   #2 (permalink)
jrubio
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No se de que va el tema, pero : Le as preguntado a san google?? El lo sabe todo, prueba a ver...

Saludos y suerte en ese examen!!
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Saludos desde Barcelona!!

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Old 24-sep-2006, 15:15   #3 (permalink)
jrubio
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Toma te dejo algo que e encontrado por google, a ver si te srive.

Punch through
Punch through in a MOSFET is an extreme case of channel length modulation where the depletion layers around the drain and source regions merge into a single depletion region. The field underneath the gate then becomes strongly dependent on the drain-source voltage, as is the drain current. Punch through causes a rapidly increasing current with increasing drain-source voltage. This effect is undesirable as it increases the output conductance and limits the maximum operating voltage of the device

te dejo el enlacehttp://ece-www.colorado.edu/~bart/book/boo...pter7/ch7_7.htm][/url]
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Saludos desde Barcelona!!

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Old 24-sep-2006, 18:42   #4 (permalink)
karpov
Deseando terminar...
 
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Posts: 126
Reputación: 6 karpov empieza a mejorar
Cito textualmente:

Para valores suficientemente altos de la tensión de drenador, la región de empobrecimiento de drenador puede llegar a alcanzar la de fuente, produciéndose elfenómeno de “perforación” (punchthrough); la tensión de puerta pierde su control sobre la corriente, que aumenta de forma abrupta, pudiendo producir un daño irreversible en el transistor como consecuencia de fusiones localizadas del material en lugares de alta densidad de corriente.

Fuente:
http://www.teleco.upct.es/docencia/materia...ugh%20mosfet%22

SUERTE MAÑANA! :goku: :cachas:
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Old 24-sep-2006, 23:47   #5 (permalink)
santiggd
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Posts: 7
Reputación: 0 santiggd tiene mucho que demostrar aún
Probablemente ya lo sepas o no lo mires antes del examen, pero t lo explico a mi manera, ese efecto sucede cuando el canal es muy corto y pones una tension drenador-fuente considerable, entonces la zona de carga espacial del drenador llega a la fuente y se forma un canal a lo basto por donde van to los electrones, por lo que la tensión umbral deja de influir. Como se soluciona?? Si es posible pues alargando el canal, y si no pues aumentando el dopado para que haya una menor zona de carga espacial.

Pedir disculpas a los entendidos por mi manera de explicar y por si he cometido alguna incorrección. :profesor:

Mucha suerte Ironfisher!!! Venga que ya acabas!!! :saludo:
__________________
Estudio 3º de I. de Teleco en E.T.S.I. Informática y de Telecomunicación de Granada
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Old 24-sep-2006, 23:51   #6 (permalink)
Ironfisher
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Muchas gracias a todos. Me ha quedado claro.
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